檢索結果：共5筆資料 檢索策略： "太陽能".ckeyword (精準) and ckeyword.raw="鈍化"
個人化服務 ：
排序：
每頁筆數：
已勾選0筆資料
1
本研究第一部分實驗係利用一低溫鋁擴散於非晶矽膜層使其形成p型多晶矽層之技術，作為矽晶異質接合太陽電池背電場製作的應用。以此技術製備p型膜層的實驗結果顯示，非晶矽層與濺鍍鋁層接觸並經200℃熱處理1小…
2
異質接合太陽電池的高開路電壓特性取決於是否有良好的鈍化層，本論文研究以射頻電漿輔助化學氣相沉積系統(RF-PECVD)製備本質氫化非晶氧化矽薄膜用於鈍化n型單晶矽基材，研究重點為探討本質氫化非晶氧化…
3
本論文乃以未來世代高效率矽晶太陽能電池的技術發展為議題，針對矽晶太陽能電池製作可能的矽晶異質接合，依據實驗室既有的以本質氫化非晶矽為鈍化層的矽晶異質接合太陽能電池η = 19.6 %、Voc = 6…
4
本論文的主題分為四部分: (1)以SiH4、C2H2和H2為反應物的低壓化學氣相沉積系統探討Si(111)上碳化緩衝層表面的石墨化及其對成長3C-SiC(111)磊晶膜的影響之研究; (2)以SiH…
5
本研究係利用一低溫鋁擴散於非晶矽膜層使其形成p型多晶矽層之技 術，作為矽晶異質接合太陽電池製作之應用。以此技術製備p型膜層的實 驗結顯示，沉積厚度為30nm的非晶矽層與20nm厚的濺鍍鋁層接觸並經 …